摘要(yào)：采用(yòng)高(gāo)純碳粉和(hé)矽粉合成(chéng)了用(yòng)于(yú)生(shēng)长(cháng)半絕緣碳化(huà)矽單晶的(de)高(gāo)純碳化(huà)矽粉。讨論了反(fǎn)應(yìng)温(wēn)度(dù)对(duì)物(wù)相組成(chéng)、粒(lì)徑和(hé)産率的(de)影響。結果(guǒ)表(biǎo)明(míng)，随着反(fǎn)應(yìng)温(wēn)度(dù)的(de)升(shēng)高(gāo)，出(chū)現(xiàn)了从β-碳化(huà)矽到(dào)α-碳化(huà)矽的(de)相變(biàn)。此(cǐ)外(wài)，随着反(fǎn)應(yìng)温(wēn)度(dù)的(de)升(shēng)高(gāo)，粒(lì)徑和(hé)産率首先(xiān)增加，然後(hòu)当温(wēn)度(dù)較高(gāo)时(shí)減小。輝光(guāng)放(fàng)電(diàn)質(zhì)譜結果(guǒ)表(biǎo)明(míng)，合成(chéng)的(de)碳化(huà)矽粉末(mò)能(néng)够滿足半絕緣碳化(huà)矽單晶生(shēng)长(cháng)的(de)要(yào)求。最(zuì)後(hòu)，利用(yòng)我(wǒ)们(men)實(shí)验(yàn)室合成(chéng)的(de)碳化(huà)矽粉末(mò)生(shēng)长(cháng)出(chū)半絕緣4H-SiC單晶。

簡介

碳化(huà)矽 (SiC) 單晶是(shì)一(yī)種(zhǒng)半導體(tǐ)材料，具有獨特(tè)的(de)電(diàn)學(xué)、化(huà)學(xué)和(hé)热(rè)物(wù)理(lǐ)特(tè)性(xìng)組合，使其(qí)对(duì)于(yú)制造電(diàn)子器件(jiàn)极(jí)具吸引力。在(zài)升(shēng)华生(shēng)长(cháng)系(xì)統中(zhōng)，碳化(huà)矽的(de)純度(dù)、尺(chǐ)寸(cùn)和(hé)相SiC粉體(tǐ)对(duì)于(yú)生(shēng)産高(gāo)質(zhì)量(liàng)SiC單晶具有重(zhòng)要(yào)作(zuò)用(yòng)。市(shì)售的(de)SiC粉體(tǐ)通(tòng)常采用(yòng)石(dàn)英砂(SiO2)碳热(rè)還(huán)原法(fǎ)合成(chéng)，这(zhè)種(zhǒng)方(fāng)法(fǎ)合成(chéng)的(de)SiC粉體(tǐ)通(tòng)常受到(dào)污染，不能(néng)滿足SiC晶體(tǐ)生(shēng)长(cháng)的(de)要(yào)求。其(qí)他(tā)方(fāng)法(fǎ)包(bāo)括溶胶(jiāo)-凝胶(jiāo)、化(huà)學(xué)气(qì)相沉积以(yǐ)及(jí)由(yóu)單質(zhì)矽和(hé)碳直(zhí)接合成(chéng)SiC。在(zài)这(zhè)些(xiē)方(fāng)法(fǎ)中(zhōng)，最(zuì)簡單、最(zuì)直(zhí)接的(de)方(fāng)法(fǎ)是(shì)其(qí)單質(zhì)反(fǎn)應(yìng)：C(S)+ Si(S)=SiC(S)，可(kě)與(yǔ)後(hòu)續單晶生(shēng)长(cháng)結合。

盡管(guǎn)有很多(duō)論文(wén)報道(dào)了用(yòng)Si和(hé)C混合物(wù)制備SiC，但反(fǎn)應(yìng)温(wēn)度(dù)对(duì)SiC合成(chéng)的(de)影響尚未系(xì)統研究。本文(wén)詳细(xì)介紹了一(yī)種(zhǒng)高(gāo)純SiC粉末(mò)的(de)制備技術(shù)。系(xì)統分(fēn)析了反(fǎn)應(yìng)温(wēn)度(dù)对(duì)SiC合成(chéng)的(de)影響。基于(yú)这(zhè)些(xiē)結果(guǒ)，制備了高(gāo)純度(dù)SiC粉末(mò)。    

實(shí)验(yàn)

以(yǐ)粒(lì)徑小于(yú)10μm的(de)高(gāo)純碳粉和(hé)粒(lì)徑8μm的(de)矽粉为(wèi)原料，純度(dù)为(wèi)99·999%，进行合成(chéng)反(fǎn)應(yìng)。高(gāo)純SiC粉末(mò)的(de)制備如(rú)下(xià)进行：(a)将高(gāo)純Si粉末(mò)與(yǔ)碳粉在(zài)樹(shù)脂研磨罐(guàn)中(zhōng)混合24小时(shí)。Si/C的(de)摩爾比为(wèi)1:1，Si+C混合物(wù)的(de)总重(zhòng)量(liàng)为(wèi)600g。(b) 将均勻混合物(wù)裝(zhuāng)入坩埚中(zhōng)，並(bìng)将坩埚轉(zhuǎn)移到(dào)带有射頻發(fà)生(shēng)器系(xì)統的(de)爐室中(zhōng)。(c) 在(zài)真(zhēn)空(kōng) (<10⁻⁶ mbar) 环(huán)境中(zhōng)以(yǐ) <1400°C 的(de)温(wēn)度(dù)加热(rè)坩埚。(d)使用(yòng)相同(tóng)的(de)升(shēng)温(wēn)速度(dù)升(shēng)高(gāo)至(zhì)1800至(zhì)2150°C的(de)不同(tóng)合成(chéng)温(wēn)度(dù)，同(tóng)时(shí)引入高(gāo)純度(dù)氩气(qì)。(e) 停留10小时(shí)。(f) 将生(shēng)长(cháng)室冷(lěng)卻至(zhì)室温(wēn)。

在(zài)不同(tóng)的(de)合成(chéng)温(wēn)度(dù)（℃）下(xià)制備了四(sì)个(gè)樣(yàng)品：樣(yàng)品A：1800、樣(yàng)品B：1950、樣(yàng)品C：2050、樣(yàng)品D：2150。通(tòng)过(guò)X射線(xiàn)粉末(mò)衍射表(biǎo)征了産物(wù)的(de)相組成(chéng)。通(tòng)过(guò)馬爾文(wén)激光(guāng)颗(kē)粒(lì)分(fēn)析儀（MS2000）和(hé)掃描電(diàn)子顯微鏡(jìng)（SEM）研究了産品的(de)粒(lì)徑和(hé)形貌。酸(suān)洗、加热(rè)後(hòu)計(jì)算産物(wù)收(shōu)率。进行輝光(guāng)放(fàng)電(diàn)質(zhì)譜（GDMS）測量(liàng)以(yǐ)評估合成(chéng)的(de)SiC粉末(mò)的(de)雜質(zhì)濃度(dù)。

結果(guǒ)與(yǔ)讨論

反(fǎn)應(yìng)温(wēn)度(dù)对(duì)産物(wù)相組成(chéng)的(de)影響

图(tú)1顯示了四(sì)个(gè)樣(yàng)品的(de)照片(piàn)。在(zài)較低(dī)温(wēn)度(dù)（1800 和(hé) 1950°C）下(xià)，産品顔色(sè)呈黃色(sè)，这(zhè)意(yì)味着主(zhǔ)要(yào)相是(shì) β-SiC。但在(zài)較高(gāo)温(wēn)度(dù)（2050 和(hé) 2150°C）下(xià)，産品顔色(sè)呈黑(hēi)色(sè)，無法(fǎ)通(tòng)过(guò)顔色(sè)直(zhí)接識别。为(wèi)了确定(dìng)産物(wù)的(de)物(wù)相組成(chéng)，对(duì)産物(wù)的(de)XRD进行了进一(yī)步研究。樣(yàng)品采用(yòng)Rigaku D/max-2500 X射線(xiàn)粉末(mò)衍射儀（XRD，铜(tóng)靶，40 kV，100 mA，掃描步长(cháng)0·02°，掃描範围5~85°（2θ） ））。    

图(tú) 1 四(sì)種(zhǒng)不同(tóng)反(fǎn)應(yìng)温(wēn)度(dù)下(xià) SiC 粉末(mò)産品的(de)照片(piàn)。a 1800°C，b 1950°C，c 2050°C，d 2150°C

图(tú)2为(wèi)不同(tóng)温(wēn)度(dù)下(xià)獲得的(de)SiC粉末(mò)産品的(de)XRD图(tú)譜。这(zhè)些(xiē)産品在(zài)进行 XRD 測量(liàng)之(zhī)前(qián)未經(jīng)任何處(chù)理(lǐ)。在(zài)1800℃时(shí)，觀察到(dào)碳、矽和(hé)β-SiC的(de)峰(fēng)，这(zhè)表(biǎo)明(míng)碳和(hé)矽之(zhī)間(jiān)的(de)反(fǎn)應(yìng)尚未完全(quán)完成(chéng)。当反(fǎn)應(yìng)温(wēn)度(dù)升(shēng)高(gāo)到(dào)1950℃时(shí)，僅觀察到(dào)SiC峰(fēng)，从衍射峰(fēng)的(de)位(wèi)置来(lái)看，産物(wù)由(yóu)β-SiC和(hé)α-SiC組成(chéng)。这(zhè)表(biǎo)明(míng)反(fǎn)應(yìng)在(zài)此(cǐ)温(wēn)度(dù)下(xià)完成(chéng)，並(bìng)且(qiě)發(fà)現(xiàn)産物(wù)从β-SiC到(dào)α-SiC的(de)相變(biàn)。当温(wēn)度(dù)升(shēng)高(gāo)到(dào)2050和(hé)2150℃时(shí)，由(yóu)于(yú)Si在(zài)这(zhè)些(xiē)温(wēn)度(dù)下(xià)的(de)蒸發(fà)，碳峰(fēng)再次出(chū)現(xiàn)，这(zhè)可(kě)以(yǐ)解(jiě)釋为(wèi)什麼(me)樣(yàng)品C和(hé)D的(de)顔色(sè)是(shì)黑(hēi)色(sè)的(de)。    

图(tú)2 SiC粉末(mò)産品的(de)X射線(xiàn)衍射图(tú)。这(zhè)些(xiē)SiC粉末(mò)中(zhōng)殘留的(de)碳和(hé)矽沒(méi)有被(bèi)去(qù)除

从照片(piàn)觀察和(hé)XRD分(fēn)析来(lái)看，在(zài)較低(dī)温(wēn)度(dù)1800和(hé)1950℃下(xià)，SiC粉末(mò)的(de)主(zhǔ)相为(wèi)β-SiC，而(ér)在(zài)1950℃下(xià)，産物(wù)由(yóu)β-SiC和(hé)α-SiC組成(chéng)，而(ér)在(zài)1950℃下(xià)，産物(wù)由(yóu)β-SiC和(hé)α-SiC組成(chéng)。2050和(hé)2150°C，α-SiC是(shì)SiC粉末(mò)中(zhōng)的(de)主(zhǔ)要(yào)相。SiC粉末(mò)从β-SiC到(dào)α-SiC的(de)相變(biàn)發(fà)生(shēng)在(zài)1950℃以(yǐ)下(xià)。

反(fǎn)應(yìng)温(wēn)度(dù)对(duì)産物(wù)粒(lì)徑的(de)影響

图(tú)3 顯示了四(sì)个(gè)樣(yàng)品的(de)粒(lì)徑分(fēn)布(bù)。这(zhè)些(xiē) SiC 産品在(zài)測量(liàng)前(qián)通(tòng)过(guò)去(qù)除殘留的(de)碳和(hé)矽进行进一(yī)步加工。在(zài) 1800°C 下(xià)合成(chéng)的(de)碳化(huà)矽粉末(mò)具有宽(kuān)範围的(de)尺(chǐ)寸(cùn)分(fēn)布(bù)，範围为(wèi) 8 至(zhì) 65 μm。樣(yàng)品A的(de)粒(lì)度(dù)分(fēn)布(bù)峰(fēng)值在(zài)20μm左(zuǒ)右(yòu)。在(zài)1950℃时(shí)，粒(lì)度(dù)明(míng)顯增大(dà)，粒(lì)度(dù)分(fēn)布(bù)峰(fēng)值在(zài)45μm左(zuǒ)右(yòu)。当温(wēn)度(dù)升(shēng)高(gāo)到(dào)2050℃和(hé)2150℃时(shí)，粒(lì)徑分(fēn)别減小到(dào)40μm和(hé)34μm。    

图(tú)3 SiC粉體(tǐ)産品的(de)粒(lì)度(dù)分(fēn)布(bù)。这(zhè)些(xiē)SiC粉末(mò)中(zhōng)殘留的(de)碳和(hé)矽被(bèi)去(qù)除

衆所(suǒ)周知，合成(chéng)反(fǎn)應(yìng)过(guò)程包(bāo)含两(liǎng)个(gè)基本反(fǎn)應(yìng)。一(yī)是(shì)合成(chéng)反(fǎn)應(yìng)，另(lìng)一(yī)種(zhǒng)是(shì)分(fēn)解(jiě)反(fǎn)應(yìng)。在(zài)較低(dī)温(wēn)度(dù)下(xià)，例如(rú)从1800℃到(dào)1950℃，合成(chéng)反(fǎn)應(yìng)的(de)速率比分(fēn)解(jiě)反(fǎn)應(yìng)的(de)速率快，並(bìng)且(qiě)颗(kē)粒(lì)尺(chǐ)寸(cùn)随着温(wēn)度(dù)的(de)升(shēng)高(gāo)而(ér)增大(dà)。当温(wēn)度(dù)升(shēng)高(gāo)到(dào)合成(chéng)反(fǎn)應(yìng)速率與(yǔ)分(fēn)解(jiě)反(fǎn)應(yìng)速率相等时(shí)，颗(kē)粒(lì)尺(chǐ)寸(cùn)不会(huì)改變(biàn)。如(rú)果(guǒ)温(wēn)度(dù)进一(yī)步升(shēng)高(gāo)，合成(chéng)反(fǎn)應(yìng)的(de)速率将比分(fēn)解(jiě)反(fǎn)應(yìng)的(de)速率慢，並(bìng)且(qiě)在(zài)2050和(hé)2150℃时(shí)颗(kē)粒(lì)尺(chǐ)寸(cùn)会(huì)減小。

图(tú) 4 四(sì)種(zhǒng)不同(tóng)反(fǎn)應(yìng)温(wēn)度(dù)下(xià) SiC 粉末(mò)産品的(de)掃描電(diàn)子顯微鏡(jìng)图(tú)像。a 1800°C，b 1950°C，c 2050°C，d 2150°C

为(wèi)了验(yàn)證上(shàng)述分(fēn)析，通(tòng)过(guò)SEM觀察了SiC粉末(mò)産品的(de)形貌。这(zhè)些(xiē)粉末(mò)産品的(de)SEM图(tú)像如(rú)图(tú)4所(suǒ)示。在(zài)图(tú)4a中(zhōng)，在(zài)1800℃时(shí)，有一(yī)些(xiē)較小的(de)圆(yuán)形颗(kē)粒(lì)粘附形成(chéng)較大(dà)的(de)颗(kē)粒(lì)。当反(fǎn)應(yìng)温(wēn)度(dù)升(shēng)至(zhì)1950℃时(shí)，合成(chéng)速率快于(yú)分(fēn)解(jiě)速率，由(yóu)于(yú)較小颗(kē)粒(lì)的(de)粘附，已經(jīng)形成(chéng)較大(dà)的(de)团(tuán)聚體(tǐ)，並(bìng)且(qiě)觀察到(dào)形狀从圆(yuán)形轉(zhuǎn)變(biàn)为(wèi)六(liù)邊(biān)形。当温(wēn)度(dù)升(shēng)高(gāo)到(dào)2050和(hé)2150℃时(shí)，六(liù)方(fāng)颗(kē)粒(lì)占大(dà)多(duō)數，分(fēn)解(jiě)速度(dù)比合成(chéng)反(fǎn)應(yìng)快，導致(zhì)較大(dà)的(de)团(tuán)聚體(tǐ)分(fēn)解(jiě)形成(chéng)較小的(de)颗(kē)粒(lì)。SEM結果(guǒ)與(yǔ)XRD和(hé)MS2000的(de)結果(guǒ)一(yī)致(zhì)。

反(fǎn)應(yìng)温(wēn)度(dù)对(duì)産物(wù)收(shōu)率的(de)影響

通(tòng)过(guò)洗涤和(hé)加热(rè)过(guò)程去(qù)除産物(wù)中(zhōng)殘留的(de)碳和(hé)矽。有趣的(de)是(shì)，經(jīng)过(guò)加热(rè)过(guò)程後(hòu)，樣(yàng)品C和(hé)D的(de)顔色(sè)从黑(hēi)色(sè)變(biàn)成(chéng)了黃色(sè)，而(ér)且(qiě)这(zhè)两(liǎng)个(gè)樣(yàng)品的(de)重(zhòng)量(liàng)損失了很多(duō)，这(zhè)很可(kě)能(néng)與(yǔ)殘留的(de)碳有關(guān)。各(gè)樣(yàng)品中(zhōng)反(fǎn)應(yìng)温(wēn)度(dù)與(yǔ)殘留碳、矽重(zhòng)量(liàng)的(de)關(guān)系(xì)如(rú)图(tú)5所(suǒ)示。

图(tú)5 酸(suān)洗加热(rè)过(guò)程計(jì)算的(de)殘留矽和(hé)碳对(duì)四(sì)種(zhǒng)不同(tóng)反(fǎn)應(yìng)温(wēn)度(dù)的(de)依賴性(xìng)

樣(yàng)品B中(zhōng)殘留的(de)碳和(hé)矽是(shì)所(suǒ)有樣(yàng)品中(zhōng)最(zuì)少(shǎo)的(de)，表(biǎo)明(míng)合成(chéng)反(fǎn)應(yìng)完成(chéng)。由(yóu)于(yú)反(fǎn)應(yìng)温(wēn)度(dù)較低(dī)，樣(yàng)品 A 中(zhōng)的(de)矽含量(liàng)高(gāo)于(yú)樣(yàng)品 B。雖(suī)然在(zài)較低(dī)温(wēn)度(dù)下(xià)延长(cháng)反(fǎn)應(yìng)时(shí)間(jiān)可(kě)能(néng)会(huì)使碳和(hé)矽完全(quán)反(fǎn)應(yìng)，但会(huì)降低(dī)反(fǎn)應(yìng)效率。樣(yàng)品C和(hé)D中(zhōng)的(de)殘留碳遠(yuǎn)多(duō)于(yú)樣(yàng)品A和(hé)B，这(zhè)與(yǔ)XRD結果(guǒ)一(yī)致(zhì)。在(zài)这(zhè)些(xiē)實(shí)验(yàn)中(zhōng)，在(zài)1950°C 10小时(shí)的(de)条(tiáo)件(jiàn)下(xià)合成(chéng)了不含殘留碳和(hé)矽的(de)高(gāo)産率産物(wù)。    

合成(chéng)産品的(de)GDMS分(fēn)析和(hé)SiC單晶生(shēng)长(cháng)

SiC粉末(mò)的(de)純度(dù)对(duì)于(yú)SiC晶體(tǐ)的(de)質(zhì)量(liàng)和(hé)電(diàn)性(xìng)能(néng)起(qǐ)着重(zhòng)要(yào)作(zuò)用(yòng)。Aniukin 和(hé) Madar17 報道(dào)稱，粉末(mò)中(zhōng)的(de)雜質(zhì)可(kě)能(néng)在(zài)初始(shǐ)生(shēng)长(cháng)过(guò)程中(zhōng)沉积在(zài)籽晶表(biǎo)面(miàn)，導致(zhì)缺陷密度(dù)增加。对(duì)原材料和(hé)合成(chéng)粉末(mò)进行 GDMS 測量(liàng)。結果(guǒ)列于(yú)表(biǎo)1。

表(biǎo)1 原料及(jí)合成(chéng)高(gāo)純SiC粉體(tǐ)的(de)GDMS分(fēn)析

半絕緣4H-SiC單晶生(shēng)长(cháng)

为(wèi)了验(yàn)證合成(chéng)的(de)SiC粉末(mò)可(kě)以(yǐ)用(yòng)作(zuò)源材料，使用(yòng)樣(yàng)品B工藝合成(chéng)的(de)SiC粉末(mò)生(shēng)长(cháng)了3英寸(cùn)半絕緣4H-SiC單晶。4H-SiC 襯底的(de)抛光(guāng)碳面(miàn)用(yòng)作(zuò)生(shēng)长(cháng)面(miàn)。生(shēng)长(cháng)温(wēn)度(dù)控制在(zài)2100至(zhì)2300℃之(zhī)間(jiān)，壓力在(zài)5毫(háo)巴至(zhì)50毫(háo)巴之(zhī)間(jiān)。图(tú) 6 顯示了半絕緣 4H-SiC 晶體(tǐ)。    

图(tú)6 使用(yòng)我(wǒ)们(men)實(shí)验(yàn)室合成(chéng)的(de) SiC 粉末(mò)生(shēng)长(cháng)的(de)半絕緣 4H-SiC 單晶

通(tòng)过(guò)晶圆(yuán)切(qiè)片(piàn)和(hé)抛光(guāng)制備4H-SiC晶圆(yuán)。衍射面(miàn)(0004)的(de)半峰(fēng)全(quán)宽(kuān)(FWHM)为(wèi)40角(jiǎo)秒(miǎo)，非接觸法(fǎ)測得的(de)電(diàn)阻率大(dà)于(yú)10¹⁰Ω·cm，結果(guǒ)如(rú)图(tú)7所(suǒ)示。結果(guǒ)表(biǎo)明(míng)，所(suǒ)合成(chéng)的(de)粉末(mò)可(kě)直(zhí)接作(zuò)为(wèi)高(gāo)質(zhì)量(liàng)半絕緣SiC單晶生(shēng)长(cháng)的(de)原料。    

图(tú)7是(shì)半絕緣4H-SiC單晶晶片(piàn)的(de)(0004)反(fǎn)射搖擺曲(qū)線(xiàn)，顯示出(chū)唯一(yī)的(de)單峰(fēng)和(hé)窄(zhǎi)的(de)半峰(fēng)宽(kuān)，表(biǎo)明(míng)晶片(piàn)的(de)質(zhì)量(liàng)非常高(gāo)。b 从晶圆(yuán)上(shàng)獲取(qǔ)的(de)電(diàn)阻率图(tú)顯示電(diàn)阻率大(dà)于(yú) 10¹⁰ Ω•cm

結論

本文(wén)提(tí)出(chū)了一(yī)種(zhǒng)生(shēng)産高(gāo)純碳化(huà)矽粉體(tǐ)的(de)高(gāo)效合成(chéng)工藝。研究了反(fǎn)應(yìng)温(wēn)度(dù)对(duì)合成(chéng)産物(wù)尺(chǐ)寸(cùn)、物(wù)相組成(chéng)和(hé)收(shōu)率的(de)影響。合成(chéng)过(guò)程可(kě)分(fēn)以(yǐ)下(xià)階(jiē)段(duàn)进行：(a)混合高(gāo)純碳粉和(hé)矽粉；(b) 将混合物(wù)裝(zhuāng)入生(shēng)长(cháng)室；(c)預热(rè)以(yǐ)除去(qù)吸收(shōu)的(de)气(qì)體(tǐ)並(bìng)減少(shǎo)污染元(yuán)素；(d)提(tí)高(gāo)温(wēn)度(dù)以(yǐ)形成(chéng)碳化(huà)矽粉末(mò)；(e) 冷(lěng)卻至(zhì)室温(wēn)。随着反(fǎn)應(yìng)温(wēn)度(dù)的(de)升(shēng)高(gāo)，觀察到(dào)産物(wù)从β到(dào)α的(de)相變(biàn)。而(ér)且(qiě)，随着温(wēn)度(dù)的(de)升(shēng)高(gāo)，粒(lì)徑和(hé)産率先(xiān)增大(dà)後(hòu)減小。粒(lì)徑與(yǔ)反(fǎn)應(yìng)温(wēn)度(dù)和(hé)合成(chéng)、分(fēn)解(jiě)反(fǎn)應(yìng)的(de)速率有關(guān)。結果(guǒ)，在(zài)1950℃下(xià)10小时(shí)合成(chéng)了高(gāo)産率和(hé)高(gāo)純度(dù)的(de)碳化(huà)矽粉末(mò)。本實(shí)验(yàn)制備的(de)碳化(huà)矽粉體(tǐ)純度(dù)能(néng)够滿足半絕緣碳化(huà)矽單晶生(shēng)长(cháng)的(de)純度(dù)需求，可(kě)用(yòng)于(yú)生(shēng)长(cháng)高(gāo)質(zhì)量(liàng)的(de)3英寸(cùn)半絕緣4H-SiC單晶。  

聲      明(míng)：文(wén)章(zhāng)內(nèi)容来(lái)源于(yú)半導體(tǐ)信(xìn)息。僅作(zuò)分(fēn)享，不代(dài)表(biǎo)本号(hào)立场，如(rú)有侵權，請聯系(xì)小編删除，謝謝！