電(diàn)科材料下(xià)屬國(guó)盛公(gōng)司矽基氮化(huà)镓外(wài)延片(piàn)完成(chéng)客戶交付

發(fà)布(bù)日(rì)期(qī)：2024-06-20

據(jù)中(zhōng)電(diàn)材料官微消息，近(jìn)日(rì)，電(diàn)科材料下(xià)屬國(guó)盛公(gōng)司研發(fà)的(de)矽基氮化(huà)镓（GaN on Si）外(wài)延片(piàn)完成(chéng)客戶交付。

第(dì)三(sān)代(dài)半導體(tǐ)氮化(huà)镓（GaN）材料具有禁带宽(kuān)度(dù)大(dà)、電(diàn)子飽和(hé)速度(dù)及(jí)電(diàn)子遷移率高(gāo)、擊穿场強(qiáng)高(gāo)等特(tè)性(xìng)，在(zài)功率與(yǔ)射頻領域有廣闊的(de)應(yìng)用(yòng)前(qián)景。矽基氮化(huà)镓在(zài)具備上(shàng)述優點(diǎn)的(de)同(tóng)时(shí)兼顧了可(kě)低(dī)成(chéng)本、大(dà)規模生(shēng)産的(de)優點(diǎn)，是(shì)第(dì)三(sān)代(dài)半導體(tǐ)發(fà)展的(de)重(zhòng)要(yào)方(fāng)向(xiàng)。

长(cháng)期(qī)以(yǐ)来(lái)，國(guó)盛公(gōng)司把(bǎ)握機(jī)遇，面(miàn)对(duì)挑戰，破解(jiě)了矽基氮化(huà)镓研發(fà)生(shēng)産的(de)多(duō)項核心(xīn)問(wèn)題(tí)，在(zài)2023年(nián)12月(yuè)完成(chéng)了第(dì)一(yī)枚矽基氮化(huà)镓外(wài)延片(piàn)正(zhèng)式下(xià)線(xiàn)，實(shí)現(xiàn)了産品多(duō)元(yuán)化(huà)布(bù)局(jú)。半年(nián)来(lái)，國(guó)盛公(gōng)司持(chí)續加大(dà)矽基氮化(huà)镓産品的(de)攻關(guān)力度(dù)，不斷攻克(kè)産品産業化(huà)關(guān)鍵技術(shù)，进一(yī)步提(tí)升(shēng)産品質(zhì)量(liàng)，顺利實(shí)現(xiàn)産品交付，进入産品試樣(yàng)验(yàn)證階(jiē)段(duàn)，为(wèi)未来(lái)發(fà)展奠定(dìng)了基礎。

後(hòu)續，國(guó)盛公(gōng)司将堅持(chí)以(yǐ)推動(dòng)第(dì)三(sān)代(dài)半導體(tǐ)材料産業化(huà)为(wèi)己任，加大(dà)技術(shù)研發(fà)力度(dù)，提(tí)升(shēng)産業化(huà)能(néng)力水平，提(tí)高(gāo)市(shì)场占有率，为(wèi)集团(tuán)公(gōng)司高(gāo)質(zhì)量(liàng)發(fà)展贡獻力量(liàng)。

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電(diàn)科材料下(xià)屬國(guó)盛公(gōng)司矽基氮化(huà)镓外(wài)延片(piàn)完成(chéng)客戶交付

發(fà)布(bù)日(rì)期(qī)：2024-06-20

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